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Si1470DH
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS T A = 25 °C, unless otherwise noted
10
0.16
I D = 3.7 A
1
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.12
T A = 125 °C
0.0 8
T A = 25 °C
0.1
0.04
0.01
0.00
0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
1.5
1.3
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
I D = 250 μ A
30
25
20
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
R DS(on) vs. V GS vs. Temperature
1.1
15
0.9
10
0.7
0.5
5
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
600
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
100
Limited b y R DS(on) *
10
10 ms
Time (s)
Single Pulse Power
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
100 ms
1s
10 s
DC
0.001
0.1
1
10
100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 74277
S10-0646-Rev. B, 22-Mar-10
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